चार्जर्स के लिए GAN तकनीक क्या है?

अगर सरल शब्द में कहा जाए तो,उच्च शक्ति वाला एक छोटा शरीर.

गैलियम नाइट्राइड (GaN) चार्जर ने अंतर्राष्ट्रीय उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स शो में बड़ी धूम मचाई, और इस आधुनिक सिलिकॉन विकल्प का मतलब है कि छोटे, अधिक कुशल चार्जर और बिजली आपूर्ति सामने आ रही हैं।

GaN चार्जर वर्तमान चार्जर की तुलना में भौतिक रूप से छोटे होते हैं, क्योंकि GaN चार्जर को सिलिकॉन चार्जर की तुलना में कम घटकों की आवश्यकता नहीं होती है। यह सामग्री समय के साथ सिलिकॉन की तुलना में बहुत अधिक वोल्टेज का संचालन कर सकती है। GaN चार्जर न केवल करंट को स्थानांतरित करने में अधिक प्रभावी हैं, बल्कि इसका मतलब यह भी है कि गर्मी के कारण कम ऊर्जा बर्बाद होती है। इसलिए, जब घटक उपकरण में ऊर्जा स्थानांतरित करने में अधिक कुशल होते हैं, तो आमतौर पर कम घटकों की आवश्यकता होती है। परिणामस्वरूप, प्रौद्योगिकी की व्यापक लोकप्रियता के साथ, GaN बिजली आपूर्ति और चार्जर में काफी कमी आएगी। इसके अन्य लाभ भी हैं, जैसे उच्च स्विचिंग आवृत्ति से तेज़ वायरलेस पावर ट्रांसमिशन प्राप्त किया जा सकता है।

गैलियम नाइट्राइड एक अर्धचालक पदार्थ है जो 1990 के दशक में एलईडी के निर्माण से ध्यान का केंद्र बन गया। GaN का उपयोग पहले सफेद एलईडी, नीले लेजर और पूर्ण-रंगीन एलईडी डिस्प्ले बनाने के लिए किया गया था जिन्हें दिन के दौरान देखा जा सकता है। ब्लू-रे डीवीडी प्लेयर में, GaN नीली रोशनी उत्पन्न करता है, जो डीवीडी से डेटा पढ़ता है।

ऐसा लगता है कि GaN जल्द ही कई क्षेत्रों में सिलिकॉन की जगह ले लेगा। सिलिकॉन निर्माताओं ने सिलिकॉन-आधारित ट्रांजिस्टर को बेहतर बनाने के लिए दशकों से अथक प्रयास किया है। मूर के नियम के अनुसार, एकीकृत सिलिकॉन सर्किट में ट्रांजिस्टर की संख्या लगभग हर दो साल में दोगुनी हो जाती है। यह अवलोकन 1965 में किया गया था और पिछले 50 वर्षों से मूल रूप से सही है। हालाँकि, 2010 में सेमीकंडक्टर तकनीक का विकास पहली बार इस गति से नीचे गिर गया। कई विश्लेषकों (और स्वयं मूर) का अनुमान है कि 2025 तक मूर का नियम अप्रचलित हो जाएगा।

2006 में GaN ट्रांजिस्टर का उत्पादन बढ़ गया। बेहतर विनिर्माण प्रक्रिया का मतलब है कि GaN ट्रांजिस्टर को सिलिकॉन के समान उपकरण में निर्मित किया जा सकता है। इससे लागत कम हो सकती है और अधिक सिलिकॉन निर्माताओं को ट्रांजिस्टर का उत्पादन करने के लिए GaN का उपयोग करने के लिए प्रोत्साहित किया जा सकता है।