गैलियम नाइट्राइड सिलिकॉन से बेहतर क्यों है?

सिलिकॉन की तुलना में, GaN का लाभ बिजली दक्षता में कम हो जाता है। जैसा कि GaN सिस्टम्स, एक पेशेवर गैलियम नाइट्राइड निर्माता ने समझाया:

"सभी अर्धचालक सामग्रियों में एक तथाकथित बैंड गैप होता है। यह ऊर्जा सीमा है जिसमें किसी ठोस में कोई इलेक्ट्रॉन मौजूद नहीं हो सकता है। संक्षेप में, बैंड गैप ठोस सामग्री की विद्युत चालकता से संबंधित है। गैलियम नाइट्राइड का बैंड गैप 3.4 eV है, जबकि सिलिकॉन का 1.12 eV है। गैलियम नाइट्राइड में व्यापक बैंड गैप है, जिसका अर्थ है कि यह सिलिकॉन की तुलना में उच्च वोल्टेज और उच्च तापमान का सामना कर सकता है।"

एक अन्य GaN निर्माता, एफिशिएंट पावर कन्वर्जन कॉर्पोरेशन ने कहा कि GaN की इलेक्ट्रॉन मार्गदर्शक दक्षता सिलिकॉन की तुलना में 1,000 गुना है, और इसकी विनिर्माण लागत कम है।

उच्च बैंड गैप दक्षता का मतलब है कि करंट सिलिकॉन चिप्स की तुलना में GaN चिप्स से तेजी से गुजर सकता है, जिससे भविष्य में प्रसंस्करण शक्ति तेज हो सकती है। संक्षेप में, GaN से बने चिप्स सिलिकॉन से बने चिप्स की तुलना में तेज़, छोटे, अधिक ऊर्जा कुशल और (अंततः) सस्ते होंगे।

यह अनुमान लगाया जा सकता है कि बड़े हार्डवेयर निर्माताओं (जैसे ऐप्पल और सैमसंग) द्वारा नए कंप्यूटर और स्मार्टफोन में उन्हें शामिल करना शुरू करने से पहले आप आसानी से कई GaN चार्जर नहीं देख पाएंगे।